存儲價格“飆漲” 手機行業迎來調價潮
更新時間：2026/3/19 15:55:35 來源：新華社
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新華社北京3月18日電 題：存儲價格“飆漲” 手機行業迎來調價潮
新華社記者周圓、吳慧珺
近期，OPPO、vivo等手機品牌宣布上調部分產品價格，一場覆蓋全行業的手機“漲價潮”已然來襲。
“3月16日后，店里的OPPO A系列、K系列和一加的價格有200元到500元不等的上調。”在北京西城區的一家OPPO門店，店員告訴記者，調價產品多是已發售、主打走量的機型。以OPPO K13 Turbo為例，現在的起售價是2299元，較之前漲了500元。
記者了解到，其他主要手機品牌還沒有宣布調價，但相關門店店員反映，一些大容量的機型已經很難補到貨。也有店員介紹，按照慣例，新機型上市一段時間后會降價，而多款去年下半年推出的手機至今沒有降價，“算是變相漲價了”。
對于漲價原因，各方提及最多的就是“存儲芯片價格持續上漲”。
國家發展改革委價格監測中心日前發文稱，2025年9月至今，受需求“爆發式”增長、產能“斷崖式”緊缺等因素影響，全球存儲器市場缺口擴大。
該中心的數據顯示，截至今年1月，存儲芯片兩大主要產品DRAM和NAND閃存價格均創2016年有數據以來最高。以主流型號為例，1月DRAM（DDR4 8Gb 1G*8）合約平均價格為11.5美元，比去年9月上漲約83%；NAND閃存（128Gb 16G*8 MLC）合約平均價格為9.5美元，比去年9月上漲近1.5倍。
“本輪超級周期的根本原因在于AI大模型技術超預期迭代升級，帶來海量的數據存儲、處理等需求。”合肥睿科微電子有限公司銷售總監魏剛介紹，三星、SK海力士、美光等頭部存儲廠商將產能向利潤更高的高帶寬內存（HBM）等產品傾斜，導致手機等消費電子領域所需的運行內存DRAM和NAND閃存供應持續吃緊。
據悉，三星、SK海力士、美光三大廠商目前的DRAM和NAND庫存已經達到歷史低點，平均庫存僅3至5周，處于極度緊缺狀態。
產能的結構性擠占，直接反映在智能手機存儲芯片采購成本上。有研究報告顯示，存儲芯片在智能手機的物料成本占比，已從此前的10%至15%上升到30%至40%。對于利潤本就單薄的中低端機型而言，這種成本結構失衡導致部分千元機產品已陷入負毛利區間。
成本壓力層層傳導，手機廠商并非只有漲價一種選擇。
“部分手機品牌通過調整產品策略來應對，比如在部分機型中減配存儲容量或攝像頭數量等。”華安證券研究所科技行業分析師李元晨以高端手機為例介紹，一些新機型價格較上一代漲價1000元至2000元不等的同時，升級了處理器、屏幕等配置，“采用‘升級配置+大幅漲價’策略，以覆蓋存儲和處理器成本上漲”。
記者發現，部分廠商加速系統生態建設，提升產品附加值；有的聚焦折疊屏、影像等領域加大研發，以差異化競爭尋求突破；還有的則通過優化供應鏈管理、內部降本增效等方式消化壓力。
此輪周期將持續到何時？
業內人士分析，導致存儲短缺的結構性因素依然存在，隨著存儲產能擴張以及部分國內中小存儲供應商參與，供應緊張局面可能出現一定緩解，但這不足以從根本上改變走勢。
存儲芯片擴產周期長是另一影響因素。西南證券研究院分析師胡楊表示，新建一座存儲晶圓廠的完整周期需要1年半到2年，這意味著即使現在開始大規模投資，新增產能要到2027年底才能顯著釋放，且考慮到工藝復雜和潔凈室等供給瓶頸，擴產難度較大。
國際數據公司（IDC）預計，此次存儲結構性短缺將在2026年持續發酵并可能延續至2027年，盡管價格漲速或在下半年放緩，但估計難以回落至2025年水平。
“從芯片供應商到終端品牌及渠道，均需為這一長期的結構性調整做好準備。”李元晨說。
業內人士也提醒消費者，需要理性看待購機需求，不要盲目跟風換機。剛需換機人群可優先選擇口碑好、配置能滿足日常使用的機型，用好“國補”等政策。此外，還可以考慮購買靠譜的二手手機，或為舊手機更換電池繼續使用等。
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新華社北京3月18日電 題：存儲價格“飆漲” 手機行業迎來調價潮
新華社記者周圓、吳慧珺
近期，OPPO、vivo等手機品牌宣布上調部分產品價格，一場覆蓋全行業的手機“漲價潮”已然來襲。
“3月16日后，店里的OPPO A系列、K系列和一加的價格有200元到500元不等的上調。”在北京西城區的一家OPPO門店，店員告訴記者，調價產品多是已發售、主打走量的機型。以OPPO K13 Turbo為例，現在的起售價是2299元，較之前漲了500元。
記者了解到，其他主要手機品牌還沒有宣布調價，但相關門店店員反映，一些大容量的機型已經很難補到貨。也有店員介紹，按照慣例，新機型上市一段時間后會降價，而多款去年下半年推出的手機至今沒有降價，“算是變相漲價了”。
對于漲價原因，各方提及最多的就是“存儲芯片價格持續上漲”。
國家發展改革委價格監測中心日前發文稱，2025年9月至今，受需求“爆發式”增長、產能“斷崖式”緊缺等因素影響，全球存儲器市場缺口擴大。
該中心的數據顯示，截至今年1月，存儲芯片兩大主要產品DRAM和NAND閃存價格均創2016年有數據以來最高。以主流型號為例，1月DRAM（DDR4 8Gb 1G*8）合約平均價格為11.5美元，比去年9月上漲約83%；NAND閃存（128Gb 16G*8 MLC）合約平均價格為9.5美元，比去年9月上漲近1.5倍。
“本輪超級周期的根本原因在于AI大模型技術超預期迭代升級，帶來海量的數據存儲、處理等需求。”合肥睿科微電子有限公司銷售總監魏剛介紹，三星、SK海力士、美光等頭部存儲廠商將產能向利潤更高的高帶寬內存（HBM）等產品傾斜，導致手機等消費電子領域所需的運行內存DRAM和NAND閃存供應持續吃緊。
據悉，三星、SK海力士、美光三大廠商目前的DRAM和NAND庫存已經達到歷史低點，平均庫存僅3至5周，處于極度緊缺狀態。
產能的結構性擠占，直接反映在智能手機存儲芯片采購成本上。有研究報告顯示，存儲芯片在智能手機的物料成本占比，已從此前的10%至15%上升到30%至40%。對于利潤本就單薄的中低端機型而言，這種成本結構失衡導致部分千元機產品已陷入負毛利區間。
成本壓力層層傳導，手機廠商并非只有漲價一種選擇。
“部分手機品牌通過調整產品策略來應對，比如在部分機型中減配存儲容量或攝像頭數量等。”華安證券研究所科技行業分析師李元晨以高端手機為例介紹，一些新機型價格較上一代漲價1000元至2000元不等的同時，升級了處理器、屏幕等配置，“采用‘升級配置+大幅漲價’策略，以覆蓋存儲和處理器成本上漲”。
記者發現，部分廠商加速系統生態建設，提升產品附加值；有的聚焦折疊屏、影像等領域加大研發，以差異化競爭尋求突破；還有的則通過優化供應鏈管理、內部降本增效等方式消化壓力。
此輪周期將持續到何時？
業內人士分析，導致存儲短缺的結構性因素依然存在，隨著存儲產能擴張以及部分國內中小存儲供應商參與，供應緊張局面可能出現一定緩解，但這不足以從根本上改變走勢。
存儲芯片擴產周期長是另一影響因素。西南證券研究院分析師胡楊表示，新建一座存儲晶圓廠的完整周期需要1年半到2年，這意味著即使現在開始大規模投資，新增產能要到2027年底才能顯著釋放，且考慮到工藝復雜和潔凈室等供給瓶頸，擴產難度較大。
國際數據公司（IDC）預計，此次存儲結構性短缺將在2026年持續發酵并可能延續至2027年，盡管價格漲速或在下半年放緩，但估計難以回落至2025年水平。
“從芯片供應商到終端品牌及渠道，均需為這一長期的結構性調整做好準備。”李元晨說。
業內人士也提醒消費者，需要理性看待購機需求，不要盲目跟風換機。剛需換機人群可優先選擇口碑好、配置能滿足日常使用的機型，用好“國補”等政策。此外，還可以考慮購買靠譜的二手手機，或為舊手機更換電池繼續使用等。
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